全自動二次(cì)熱脫(tuō)附儀

801係列(liè)全(quán)自動二(èr)次熱(rè)解吸(xī)儀是一款(kuǎn)帶(dài)電(diàn)子冷阱(jǐng)和二次(cì)吸附解(jiě)吸功(gōng)能(néng)的(dí)全(quán)自動(dòng)熱解(jiě)吸(xī)儀
，通(tōng)過二次冷阱(jǐng)聚(jù)焦和(hé)直(zhí)接電阻(zǔ)加(jiā)熱(rè)快速(sù)升溫(wēn)的方法(fǎ)
，解決(jué)了(liǎo)一(yī)次解吸峰型(xíng)差(chà)和解吸率(shuài)低的(dí)問(wèn)題
。

全自動(dòng)二次熱脫(tuō)附(fù)儀

801係(xì)列(liè)全自(zì)動二次熱(rè)解吸儀(yí)性能(néng)指標

1 一次(cì)解(jiě)吸（吸附(fù)管）溫度(dù)控製範(fàn)圍(wéi)：室(shì)溫～420℃
，步(bù)長(cháng)1℃
2 六(liù)通閥進(jìn)樣(yàng)係(xì)統(tǒng)溫度及(jí)控製範圍：室(shì)溫～220℃
，步長(cháng)1℃
3 樣(yàng)品(pǐn)傳輸(shū)管綫(xiàn)溫度(dù)及(jí)控(kòng)製範圍(wéi)：室溫(wēn)～220℃
，步長1℃
4 二次解吸（聚焦(jiāo)管(guǎn)）溫度(dù)控製(zhì)範(fàn)圍：室(shì)溫～450℃
，步長(cháng)1℃
，升溫(wēn)速率>3000℃/min
5 冷阱（電子半導體(tǐ)製冷(lěng)）溫(wēn)度(dù)控(kòng)製(zhì)範圍：-40℃～室溫(wēn)
，步長(cháng)1℃
，無需(xū)液氮製冷(lěng)
6 溫度控(kòng)製精度：<±1℃
7 溫度控製梯度(dù)：<±1℃
8 氣路耐壓：>0.4MPa
9 樣品位：12/24/36位
10 反吹(chuī)流量：0～100ml/min（連(lián)續可調）
11 模(mó)擬(nǐ)采樣流量：100ml/min
12樣(yàng)品解(jiě)吸，吹(chuī)掃(sǎo)，進樣(yàng)和(hé)反吹(chuī)時間(jiān)：
13 定時(shí)範圍：1s～1000min
14 定時(shí)精度(dù)：<0.1%
15 分析(xī)精度：RSD<2.5%（和(hé)GC性能和(hé)操作技(jì)術(shù)有(yǒu)關）
16 吸(xī)附管(guǎn)規格：直(zhí)徑(jìng):Φ6mm/Φ6.35mm
，長度：89mm
17 同步信號輸(shū)出(chū)：2路開關(guān)量
，聯動開關(guān)時間(jiān)為(wéi)1～2秒
18 電(diàn)源：AC220V 50Hz
19 功率(shuài)：800W（峰值）
20 儀器尺寸：700×350×540mm3
21 儀(yí)器重(zhòng)量：約(yuē)38kg